濕法刻蝕系統(tǒng)工藝主要包括三部分：硫酸、硝酸、氫氟酸氫氧化鉀氫氟酸本工藝過程中，硝酸將硅片背面和邊緣氧化，形成二氧化硅，氫氟酸與二氧化硅反應(yīng)生成絡(luò)合物六氟硅酸，從而達(dá)到刻蝕的目的。刻蝕之后經(jīng)過KOH溶液去除硅片表面的多孔硅，并將從刻蝕槽中攜帶的未沖洗干凈的酸除去。利用HF酸將硅片正面的磷硅玻璃去除。并用DI水沖洗硅片，用壓縮空氣將硅片表面吹干。
 

　　濕法刻蝕系統(tǒng)主要控制點(diǎn)：
 

　　1、腐蝕深度控制在1.2±0.2之間。
 

　　2、刻蝕寬度D≤1，每片測量四點(diǎn)，測量點(diǎn)在每邊的中間點(diǎn)，20點(diǎn)(5道)或32點(diǎn)(8道)的平均值。
 

　　3、絕緣電阻≥1。以上三個參數(shù)在正常生產(chǎn)時至少每隔1小時測量一次。當(dāng)更換藥液和停產(chǎn)一段時間再生產(chǎn)時及參數(shù)不正常時，要求增加測量次數(shù)。
 

　　4、腐蝕槽循環(huán)流量要求設(shè)定在30~35之間。循環(huán)流量過小會導(dǎo)致腐蝕量不夠，甚至硅片邊緣不能*去除；循環(huán)量過大會導(dǎo)致過腐蝕現(xiàn)象和硅片邊緣刻蝕寬度出現(xiàn)陰影嚴(yán)重引起表面不合格。
 

　　5、腐蝕槽溫度保證在7士1℃，隨著溫度的升高，腐蝕速率會加快，但會使藥液密度減小，以致發(fā)生過腐蝕現(xiàn)象。所以在溫度未降到工藝控制范圍內(nèi)時禁止生產(chǎn)。
 

　　6、堿洗槽溫度要求≤23℃。當(dāng)發(fā)現(xiàn)堿洗槽溫度超過控制范圍時，及時通知相關(guān)負(fù)責(zé)人進(jìn)行檢查調(diào)整。
 

　　7、堿洗槽噴淋量要求，且首先保證下噴淋量充足，以便使硅片背面多孔硅腐蝕充分。
 

　　8、壓縮空氣風(fēng)干Dryer處風(fēng)刀頻率及流量的控制太小，易造成硅片不能*風(fēng)干；過大易產(chǎn)生碎片。以硅片上下表面能夠被*風(fēng)干為前提。建議風(fēng)刀頻率為：80%~85%；壓縮空氣流量：(8道)≥20立方米每小時。