濕法制粒(wetgranulation)是在藥物粉末中加入液體粘合劑，靠粘合劑的架橋或粘結作用使粉末聚結在一起而制備顆粒的方法。由于濕法制粒的產物具有外形美觀、流動性好、耐磨性較強、壓縮成形性好等優點，在醫藥工業中的應用廣泛。而對于熱敏性、濕敏性、極易溶性等特殊物料可采用其它方法制粒。
 

　　濕法刻蝕系統是一個純粹的化學反應過程，是指利用溶液與預刻蝕材料之間的化學反應來去除未被掩蔽膜材料掩蔽的部分而達到刻蝕目的。其特點是選擇性好、重復性好、生產效率高、設備簡單、成本低。蝕種類很多，包括光揮發、氣相腐蝕、等離子體腐蝕等。
 

　　濕法刻蝕系統主要包括預真空室、刻蝕腔、供氣系統和真空系統四部分：
 

　　(1)預真空室
 

　　預真空室的作用是確保刻蝕腔內維持在設定的真空度，不受外界環境(如：粉塵、水汽)的影響，將危險性氣體與潔凈廠房隔離開來。它由蓋板、機械手、傳動機構、隔離門等組成。
 

　　(2)刻蝕腔體
 

　　刻蝕腔體是ICP 刻蝕設備的核心結構，它對刻蝕速率、刻蝕的垂直度以及粗糙度都有直接的影響。刻蝕腔的主要組成有：上電極、ICP 射頻單元、RF 射頻單元、下電極系統、控溫系統等組成。
 

　　(3)供氣系統
 

　　供氣系統是向刻蝕腔體輸送各種刻蝕氣體，通過壓力控制器(PC)和質量流量控制器(MFC)精準的控制氣體的流速和流量。氣體供應系統由氣源瓶、氣體輸送管道、控制系統、混合單元等組成。
 

　　(4)真空系統
 

　　真空系統有兩套，分別用于預真空室和刻蝕腔體。預真空室由機械泵單獨抽真空，只有在預真空室真空度達到設定值時，才能打開隔離門，進行傳送片。刻蝕腔體的真空由機械泵和分子泵共同提供，刻蝕腔體反應生成的氣體也由真空系統排空。