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  • AT650/850P 臺(tái)式等離子原子層沉積設(shè)備
    AT650/850P 臺(tái)式等離子原子層沉積設(shè)備

    AT650/850P 臺(tái)式等離子原子層沉積設(shè)備,其以熱系統(tǒng),配備新高級(jí)空心陰極源與 60 MHz RF,有低氧污染等特點(diǎn);占地小,可容納 6 英寸及更小樣品,可選定制卡盤;有 4 個(gè)有機(jī)金屬源前驅(qū)體、多達(dá) 4 個(gè)氧化劑 / 還原劑源;具備高溫兼容快速脈沖 ALD 閥等;溫度范圍廣,靜態(tài)處理模式可獲高曝光 。

    更新時(shí)間:2025-08-01型號(hào):瀏覽量:293
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