靜態滴膠就是簡單地把光刻膠滴注到靜止的基片表面的中心，滴膠量為1-10ml不等。滴膠的多少應根據光刻膠的粘度和基片的大小來確定。粘度比較高和/或基片比較大，往往需要滴較多的膠，以保證在高速旋轉階段整個基片上都涂到膠。動態滴膠方式是在基片低速（通常在500轉/分左右）旋轉的同時進行滴膠，“動態”的作用是讓光刻膠容易在基片上鋪展開，減少光刻膠的浪費，采用動態滴膠不需要很多光刻膠就能潤濕（鋪展覆蓋）整個基片表面。尤其是當光刻膠或基片本身潤濕性不好的情況下，動態滴膠尤其適用，不會產生針孔。

　　微波等離子去膠機使用注意事項：

　　1.使用前氣路檢查；使用前主要檢查設備與真空泵和氮氣瓶的接口是否漏氣；

　　2.遵守啟動順序；實驗時，依次打開設備電源開關，氮氣/干燥氣體瓶閥門，真空開關，結束時，先關真空，再關氮氣/干燥氣體瓶閥門；

　　3.氮氣/干燥氣體的壓力控制不宜過大；建議氮氣瓶氣壓從0.35MPa起緩慢上調，直至設備控制面板上的CDA停止閃爍即停止調整；

　　4.嚴防超載；嚴禁放置超出設備限定范圍的過大過重材料，否則將會損壞設備的旋控精度；

　　6.綠色環保實驗；對于廢液廢氣的排放和處置，請遵守試劑使用的相關環保說明；

　　7.保持設備清潔；實驗結束后，請拭去設備內腔殘留物，并清空廢液接收罐，使用原片遮住Chuck，將設備用塑料封套蓋好以避污染；

　　8.真空泵不宜長時間無負載運行；實驗期間設備閑置時，為了保護好泵的工作性能，請關閉真室泵，建議泵的連續作業不超過1小時。

　　微波等離子去膠機的工藝特點要求硅片在托盤真空吸力的作用下隨主軸一起高速旋轉，因此勻膠托盤的幾何參數將對被吸附的硅片形變產生一定的影響，而過大的硅片形變將影響其表面形貌和平面度，從而影響光刻膠的均勻性。通過數值解和解析解，指出隨著勻膠膜厚的變薄，其受表面形貌的影響將增大；通過數學模型和計算機模擬分析了離心轉數等參數對旋涂性能的影響規律，并通過實驗分析指出基底不平將直接導致涂膠均勻性變差，從而使集成電路芯片顯影后線條黑白比改變。