基本原理：利用霍爾效應可以測量半導體材料的導電特性，從而獲得載流子濃度、遷移率、電阻率、霍爾系數、導電類型等重要參數。

　　當電流垂直于外磁場通過導體時，載流子發生偏轉，垂直于電流和磁場的方向會產生一附加電場，從而在導體的兩端產生電勢差，這一現象就是霍爾效應。

　　霍爾效應測試儀為性能穩定、功能強大、性價比高的室溫霍爾效應儀,在國內高校、研究所及半導體業界擁有廣泛的用戶和度。儀器輕巧方便，易于攜帶，主要用于量測電子材料的重要特性參數，如載流子濃度、遷移率、電阻率、霍爾系數等，薄膜或體材料均可。

　　霍爾效應測試儀特點：

　　1.計算機軟件控制各個測試條件：如測量電流，溫度上升速率，磁場大小，磁場方向等等。

　　2.也可以由計算機控制轉為手動控制。

　　3.可同時測量霍爾電勢、樣品電壓、樣品電流、樣品溫度和磁場強度。

　　霍爾效應測試儀能判斷材料的導電類型，測定電磁鐵的磁感應強度及磁場分布，研究電磁鐵勵磁電流與霍爾電壓的關系、樣品工作電流與霍爾電壓的關系，以及電磁鐵的磁場分布。主要由恒電流源、范德堡法則終端轉換器、常溫測量系統、低溫（80K~常溫）測量系統、高溫（常溫~573K）測量系統及固定磁場強度輸入系統組成，擁有研究半導體材料霍爾效應所有的部件和配置，測試速度快，測量精度高，可重復性好。