濕法刻蝕系統提供了可控的化學試劑滴膠能力，這使得顆粒從基片表面的去除能力得以進一步加強。SWC和LSC具備對點試劑滴膠系統，可以較大程度節省化學試劑的用量的。滴膠系統支持可編程的化學試劑混合能力，提供了可控的化學試劑在整個基片上的分布。濕法刻蝕系統提供高可重復性、高均勻性及先進的兆聲清洗、兆聲輔助下光刻膠剝離，以及濕法刻蝕系統。該系統為全自動機械手上下載片，可以在一個工藝步驟中包含了的無損兆聲清洗、化學試劑清洗、刷子清洗以及干燥功能。
　　濕法刻蝕系統是一種常用的化學清洗方法，主要目的是為了將掩膜圖形正確復制到涂膠硅片上，進而達到保護硅片特殊區域的目的。從半導體制造行業開始初期，硅片制造和濕法刻蝕系統就緊密聯系到了一起。當前濕法刻蝕系統主要用于殘留物去除、漂去氧化硅、大尺寸圖形刻蝕等方面，具有設備簡單、材料選擇比高，對器件損傷小等優點。
　　濕法刻蝕系統具有溫度低、效率高、成本低等優點，在濕刻過程中，硅片的磷硅玻璃和金屬離子被有效去除，并能一次性完成鈍化和清洗去除雜質，從而提高了硅片的使用效率。
　　濕法刻蝕系統是通過化學刻蝕液和被刻蝕物質之間的化學反應將被刻蝕物質剝離下來的刻蝕方法。大多數濕法刻蝕系統是不容易控制的各向同性刻蝕。
　　特點：適應性強，表面均勻性好、對硅片損傷少，幾乎適用于所有的金屬、玻璃、塑料等材料。
　　缺點：圖形刻蝕保真想過不理想，刻蝕圖形的至小線難以掌控。
　　濕法刻蝕系統是將刻蝕材料浸泡在腐蝕液內進行腐蝕的技術。簡單來說，就是中學化學課中化學溶液腐蝕的概念，它是一種純化學刻蝕，具有優良的選擇性，刻蝕完當前薄膜就會停止，而不會損壞下面一層其他材料的薄膜。由于所有的半導體濕法刻蝕系統都具有各向同性，所以無論是氧化層還是金屬層的刻蝕，橫向刻蝕的寬度都接近于垂直刻蝕的深度。這樣一來，上層光刻膠的圖案與下層材料上被刻蝕出的圖案就會存在一定的偏差，也就無法高質量地完成圖形轉移和復制的工作，因此隨著特征尺寸的減小，在圖形轉移過程中基本不再使用。